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氮化物半导体发光元件
编号:S000018220 刷新日期: 有效日期至:2020-12-28 浏览:2275 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种氮化物半导体发光元件,其具备包含III族氮化物半导体、且具有发光端面的半导体层叠体(50);和以覆盖半导体层叠体(50)的发光端面的方式形成的、具有多个绝缘性膜的多层保护膜(30)。多层保护膜(30)具有第一保护膜(31)和覆盖该第一保护膜(31)的第二保护膜(32)。第一保护膜(31)包含含有铝的氮化物,是至少在其一部分中包含结晶化区域的结晶性膜。第二保护膜(32)包含含有铝的氧化物,是至少在其一部分中包含结晶化区域的结晶性膜。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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