本发明公开了一种半导体等离子体频率测量方法。本发明首先将两个金属刀片平行设置在待测半导体表面上方，然后向其中一个刀片刃口与待测半导体表面之间的狭缝发射宽频电磁波，在待测半导体表面激发出表面等离子体波，并利用设置在另一刀片外侧的光谱分析装置接收耦合出的电磁波；通过调整宽频电磁波频率以及两个刀片的间距，使得光谱分析装置刚好不能接收到入射宽频电磁波的全部频率信号，记录下此时光谱分析装置所能探测到的最大频率值；将该最大频率值乘以，即为待测半导体的等离子体频率。本发明方法利用表面等离子体波在半导体表面的传播特性对半导体等离子体频率进行准确实时地测量，具有实现成本低、对半导体无损伤、测量范围广等优点。