一种半导体器件，包括：自旋矩写入的平面内磁化磁阻元件，置于半导体衬底的主表面之上，其磁化状态能够根据电流流动方向变化；以及第一布线，与磁阻元件电耦接并且朝向沿主表面的方向延伸。如平面中所见的磁阻元件的宽长比是不同于1的值。在布置有其中磁阻元件和开关元件彼此电耦接的多个存储器单元的存储器单元区域中，采取如下措施：在如平面中所见的每个磁阻元件的长度方向上彼此邻接的多个磁阻元件被布置为使得它们未被置于沿长度方向延伸的相同直线上。