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建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法
编号:S000005398 刷新日期: 有效日期至:2020-09-26 浏览:2478 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 云南 技术领域:医疗卫生 - 生物医药
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
提供建立梳唇石斛(DendrobiumstrongylanthumRchb.f.)离体持续开花体系的方法,取梳唇石斛外植体,进行离体培养,培养温度为25±2℃,光照强度为20μmol/(m2·s),光照12h/d,基本培养基为1/2MS,诱导丛芽产生花序、花序切段培养及营养生长和生殖生长相互转换的培养基为1/2MS+BA0.5mg/L+NAA0.2mg/L+S3%或1/2MS+NAA0.5mg/L+PPP3330.2mg/L+S2%或1/2MS+NAA0.5mg/L+Ac0.05%+S2%,所有培养基PH值为5.8,加5.6g/L琼脂固化。
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