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> 技术详情
建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法
编号:S000005322
刷新日期:
有效日期至:
2020-09-26
浏览:
2372
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 云南
技术领域:
医疗卫生 - 生物医药
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
提供建立梳唇石斛(Dendrobiumstrongylanthum Rchb.f.)离体持续开花体系的方法,取梳唇石斛外植体,进行离体培养,培养温度为25±2℃,光照强度为20μmol/(m
2
·s),光照12h/d,基本培养基为1/2MS,诱导丛芽产生花序、花序切段培养及营养生长和生殖生长相互转换的培养基为1/2MS+BA0.5mg/L+NAA0.2mg/L+S3%或1/2MS+NAA0.5mg/L+PPP
333
0.2mg/L+S2%或1/2MS+NAA0.5mg/L+Ac0.05%+S2%,所有培养基PH值为5.8,加5.6g/L琼脂固化。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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