本发明公开了一种P型准单晶硅太阳能电池PN结的制造方法，在反应容器内对P型准单晶硅片依次执行步骤：在第一温度和第一压力下对P型准单晶硅片进行预处理，第一温度在700℃-750℃范围内，第一压力在-100pa至-50pa范围内；在第二温度和第一压力下通入扩散源，第二温度高于第一温度，且第二温度不大于800℃；在第三温度和第二压力下进行推进，第三温度高于700℃且低于第二温度，第二压力在100-300pa范围内；通入氮气和氧气的混合气体从而完成PN结的制造。本发明可有效降低晶向（100）区域和非（100）区域电池方阻的差别，为后续烧结工序带来便利，并提高电池的电性能和转化效率。