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一种基于界面极化子效应的半导体太阳能电池及制备方法
编号:S000031459 刷新日期: 有效日期至:2020-10-29 浏览:1996 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 河南 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种基于界面极化子效应的半导体太阳能电池及制备方法,由两片大小相同的导电玻璃和一层极化子氧化物薄膜构成中心对称结构,极化子氧化物薄膜夹在两片导电玻璃之间,并将两片导电玻璃隔开,导电玻璃与极化子氧化物薄膜相邻的一面具有导电膜,两片导电玻璃错开设置,导电玻璃的一端边缘与极化子氧化物薄膜边缘对齐,另一端突出于极化子氧化物薄膜,两片导电玻璃突出于极化子氧化物薄膜部分的导电膜分别与电池的正、负极引线连接。极化子氧化物薄膜由极化子氧化物经研磨后涂在导电玻璃上,经热处理制成。该半导体太阳能电池制作工艺很简单,适合大规模生产,具有原料成本低、稳定性好、无环境污染、制作工艺简单、元素丰度高等方面的优势。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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