用户登录
用户注册
English
技术供应
>技术供应
>技术需求
>协作成员
>专家委员
>新闻资讯
首页
中心简介
新闻资讯
工作动态
行业资讯
特别关注
热点视频
技术供应
技术需求
协作成员
专家智库
专家咨询委员会
数字展会
成功案例
配套服务
下载中心
《中阿科技论坛》
您当前的位置:
首页
>
供应列表
> 技术详情
通过离子注入砷改进晶体硅太阳能电池制作工艺的方法
编号:S000031252
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-16
浏览:
2232
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种通过离子注入砷改进晶体硅太阳能电池制作工艺的方法,通过该方法制作的晶体硅太阳能电池一方面采用离子注入砷形成表面的N型区域,可以同时具备高掺杂和浅结的功能,从而提高开路电压和电池效率,而且相对于磷,退火后高剂量的砷并不会在硅表面引起太多缺陷,也有益于降低硅片的表面态密度,提高少子寿命;另一方面硅片的金属与硅片的欧姆接触仍采用传统的扩散制结的方法,这样本方法就与现在光伏电池制造领域常规的扩散制结和丝网印刷烧结技术完全兼容,无需摸索新的参数,可以实现大规模量产。
分享到:
申请对接
收藏此供应
推荐给好友
穿越到手机
联系方式
在线QQ:
机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
查看地图
China-Arab States Technology Transfer Center
认证方式:
相似供应
一种网元设备链路状态的网管显示方法
所在区域:中国
转让类型:
科技服务
一种主、副子载波的切换方法
所在区域:中国
转让类型:
科技服务
倒地自动报警系统
所在区域:中国
转让类型:
合作研发
一种实现IP网络会议电视系统MC主备倒换的方法
所在区域:中国
转让类型:
科技服务