一种器件，包括有源区和耦合电容器。电容器包括第一浮置栅极，作为耦合电容器的电容器上极板，以及掺杂的半导体区，作为耦合电容器的电容器下极板。掺杂半导体区包括位于有源区的表面处的表面部，以及低于表面部的底面的侧壁部。侧壁部位于有源区的侧壁上。电容器绝缘体设置在电容器上极板和电容器下极板之间。电容器绝缘体包括上部，以及低于上部的底面的侧壁部。本发明还提供了多次可编程存储单元及其形成方法。