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> 技术详情
一种石墨烯的制备方法
编号:S000020357
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-15
浏览:
2293
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种石墨烯的制备方法,包括如下步骤:(a)碳化硅基片的清洗;(b)采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片;(c)刻蚀完成后,冷却,取出碳化硅基片,经低温退火,得到以碳化硅为衬底的石墨烯。本发明开发了一种新的石墨烯的制备方法,利用氟等离子体去除碳化硅表面硅原子并产生易挥发反应物质的性质制备石墨烯材料,所制备的石墨烯材料无需剥离,而是以广泛应用于电子学的宽禁带半导体碳化硅为绝缘衬底,与当前的与半导体工艺完全兼容。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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