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一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法
编号:S000031229 刷新日期: 有效日期至:2020-09-29 浏览:2422 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 浙江 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池结构包括:衬底;P型氧化亚铜纳米线阵列,该P型氧化亚铜纳米线阵列生长在衬底上;绝缘层,该绝缘层沉积在P型氧化亚铜纳米线阵列表面;N型层,该N型层填充在绝缘层外并且形成一层薄膜;N型欧姆电极,该N型欧姆电极制作在N型层上;P型欧姆电极,该P型欧姆电极制作在P型氧化亚铜纳米线阵列层上。本发明中纳米线阵列结构可提高电池的结面积,减小载流子的扩散距离,PIN结构可有效增大耗尽层宽度,大大提高载流子的分离和收集效率,从而提高太阳能电池的能量转换效率。本发明采用的原料丰富、廉价、无污染,采用的制备方法有电化学沉积法、磁控溅射法及电子束蒸发法,都可以大规模应用于工业生产中,有广阔的发展前景。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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