本发明涉及一种全背电极太阳能电池的生产方法，具有如下步骤：1.单面硼扩散，在N型硅片背面形成P+层；2.在P+层上沉积制绒掩膜层；3.单面制绒；4.磷扩散在硅片受光面制备前表面场；5.去掉制绒掩膜层及PSG；6.热氧化生长SiO2掩膜层；7.在硅片背面的背面场区域进行开槽，槽深H要大于等于P-N结结深+背面场的深度；8.在开槽区域底部印刷高度小于槽深H减去P-N结深的含磷的掺杂剂；9.高温扩散，在槽底部形成N+层；10.去掉PSG及SiO2掩膜层；11.正反面制作钝化膜；12.丝网印刷金属电极；13.烧结。本发明的有益效果是：利用P+与N+区域的高度差就是基体N区域，大大提升了电池效率且降低了生产成本，适合规模化生产。