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一种调控硅表面太阳能吸收率的方法
编号:S000030084 刷新日期: 有效日期至:2021-01-02 浏览:2435 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 湖北 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明属于光伏电池表面减反系统设计技术,具体为一种调控硅表面太阳能吸收率的方法,该方法是通过硅表面采用周期性凹形阶梯式亚波长光栅结构以提高硅表面对太阳能的吸收效率。本发明采用凹形阶梯式周期性光栅,合理利用不同简单光栅的辐射吸收特性,优化表面整体吸收效率。使用凹形阶梯式光栅表面后,起到如下作用:1)增大表面积,使得接收到的光尽可能的多;2)使得光在结构内部形成多重反射、衍射和吸收;3)凹形阶梯式光栅的辐射特性由多个槽深不等的简单光栅的辐射特性相叠加而得到,能够更加有效的利用各简单光栅引起的异常效应进行组合优化。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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