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InGaN/Si双结太阳能电池
编号:S000029613 刷新日期: 有效日期至:2020-11-15 浏览:2406 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种InGaN/Si双结太阳能电池,包括n-Si衬底,其上面依次有AlN成核层、GaN缓冲层、n-InxGa1-xN层、p-InxGa1-xN层、正电极,其特点是:成核层和衬底之间有p-Si层,与n-Si衬底形成Si底电池;p-InxGa1-xN层上面蒸镀有半透明电流扩展层;负电极蒸镀于n-Si衬底下面。本发明由于在n-Si衬底和AlN成核层之间形成了p-Si层,与n-Si衬底形成了Si底电池,易于制备、电池的总转换效率高;通过蒸镀半透明电流扩展层,抗辐射能力强,电池的使用寿命长;负电极蒸镀于n-Si衬底下面,简化了工艺,降低了成本,还可当反射镜使用,进一步提高了电池的总转换效率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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