本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制作方法。本发明的器件包括栅极、源极、漏极、绝缘介质层和衬底，所述衬底上由下往上依次设有应力缓冲层、第一GaN层和选择生长层，所述选择生长层包括第二GaN层和其上的异质层；所述选择生长层中部具有贯通的凹槽沟道，在凹槽沟道底面覆盖有p型GaN层，所述p型GaN层的厚度小于等于第二GaN层的厚度；异质层上表面的两侧位置覆盖有欧姆接触金属分别形成源极和漏极，绝缘介质层覆盖于器件的上表面除源极和漏极位置外的区域，栅极覆盖于绝缘介质层上的凹槽沟道处。本发明制作工艺简单，器件稳定性高，同时提高了器件的阈值电压。