本发明涉及具有集成二极管的二极管触发可控硅整流器。用于可控硅整流器的器件结构、设计结构和制造方法。在器件区中形成第一导电类型的阱，所述器件区由绝缘体上半导体衬底的器件层限定。在所述阱中形成第二导电类型的掺杂区。在所述器件区中形成可控硅整流器的阴极和二极管的阴极。所述可控硅整流器包括所述阱的第一部分以及由所述掺杂区的第一部分构成的阳极。所述二极管包括所述阱的第二部分以及由所述掺杂区的第二部分构成的阳极。