本发明提供一种氮在碳纳米尖端中掺杂的有效方法，在Si衬底上沉积一层金膜作为催化剂层，以CH₄、H₂和N₂为反应气体，在利用等离子体增强热丝化学气相沉积制备碳纳米尖端的过程中，将氮有效地掺入碳纳米尖端中；其中，金膜的厚度为5~30nm；反应气体中，CH₄的浓度15~20%，H₂的浓度50~65%，N₂的浓度15~40%；衬底温度为800~900℃；反应室的工作压强为1500~3000Pa；偏压电流120~160mA；生长时间20~30分钟。本发明利用金催化剂层制备的碳纳米尖端为非晶碳纳米尖端，含氮量可达11%以上，有sp³C-N和sp² C-N成分。尤其是发现金催化剂颗粒位于碳纳米尖端的顶端，解决了碳纳米尖端顶端制备电极的困难，为它在发光二极管(LED)的应用奠定了基础。它将来可用作白光发光二极管(LED)、场电子发射器制备和光催化的候选材料。