本发明涉及一种修复发光二极管芯片的方法，包括以下步骤：步骤一：除去芯片上的二氧化硅保护层、电极和ITO层；步骤二：保证P型区完整的情况下，腐蚀N型GaN层；步骤三：在进行步骤二之后的芯片P型区上设置ITO层，并在N型区和P型区上分别设置电极，完成修复。在步骤二中，N型GaN层的腐蚀深度为150-250nm。本发明的方法能够除去扩散有Cr原子的N型GaN层，提高了修复后的芯片的品质。