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半导体有源矩阵结构及其制造方法
编号:S000018478 刷新日期: 有效日期至:2020-11-27 浏览:2257 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及半导体有源矩阵结构及其制造方法。使用可用于挠性基板的技术来制造高分辨率有源矩阵背板。在绝缘体上半导体基板上形成包括有源半导体器件的背板层。从基板剥脱该背板层。在背板层之上形成包括诸如LCD、OLED的无源器件、光敏材料或压电材料的前板层,以形成有源矩阵结构。有源矩阵结构可被制造,以允许底部发射并提供机械挠性。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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