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制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法
编号:S000022216 刷新日期: 有效日期至:2020-12-15 浏览:2452 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次外延生长u-GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN耦合层;步骤3:在p-GaN耦合层上生长纳米金属层;步骤4:在纳米金属层上生长一P-GaN盖层;步骤5:在P-GaN盖层上生长一p-GaN电流扩展层,完成外延结构的制备。本发明是利用金属的核壳结构的等立体增强绿光发光二极管的内量子效率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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