本发明公开了一种分离发光二极管衬底的方法，包括步骤：提供一生长衬底；在所述生长衬底上形成第一半导体层，其呈倒置金字塔锥体阵列分布，各个单元相互分离；在所述第一半导体层之上形成发光外延层；湿法蚀刻所述呈倒置金字塔锥体阵列分布的第一半导体层，从而分离生长衬底。其为在倒置金字塔锥体阵列上生长发光二极管外延层，将此结构置于可快速蚀刻此条状倒置金字塔锥体阵列材料的溶液里，藉由快速蚀刻此条状倒置金字塔锥之尖端而与原先衬底分离。