一种能降低超辐射发光二极管光谱波纹的芯片结构，包括超辐射发光二极管芯片，所述超辐射发光二极管芯片由顺次层叠的N面电极层、衬底层、缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、顶层、电隔离层和P面电极层组成，其中，N面电极层所在端面为超辐射发光二极管芯片的下端面，P面电极层所在端面为超辐射发光二极管芯片的上端面；超辐射发光二极管芯片上端面设置有无源吸收区和有源区；其改进在于：所述无源吸收区范围内的P面电极层与N面电极层通过外接引线短接。本发明的有益技术效果是：可有效收集和消除无源吸收区内的电子空穴对，避免无源吸收区抑制光反馈能力随着输出功率增大而下降，提高超辐射发光二极管的性能。