一种大功率、耐伽玛辐照超辐射发光二极管，发光二极管的芯片由顺次层叠在一起的N面电极层、衬底层、缓冲层、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层、腐蚀阻挡层、外包层、顶层、电隔离介质膜层和P面电极层组成；其改进在于：在有源层和上波导层之间设置有电子限制层，其材质为P型AlGaInAs。本发明的有益技术效果是：可使发光二极管的芯片发光波长达到1.28μm～1.35μm，在100mA工作电流条件下与单模光纤耦合输出功率大于2mW，裸芯片状态下能够承受的伽玛辐照总剂量达到500Krad（Si），有源层采用低偏振度组合方式可实现偏振度小于0.5dB，采用高偏振度组合方式可实现偏振度大于13dB。