本发明公开了一种绿光发光二极管及其制备方法，绿光发光二极管在外延生长InGaN/GaN量子阱过程中引入一层低温保护层，量子阱结构有InGaN/GaN变为InGaN/GaN低温保护层1/GaN结构，从而保护InGaN中的In，避免在高温生长时对它的破坏，从而有效的避免了InGaN中In组份的相分离，提高了内量子效率，另外在n-型层与绿光发光层之间是有两层不同的应力释放层组成，降低绿光发光二极管的应力。