“一种化学浴沉积择优取向生长的纳米晶Cu₂O薄膜的制备方法”属于半导体领域。现有方法一般对设备要求较高，需要比较复杂的程序，而最终难以控制成本，这会严重影响Cu₂O薄膜的应用范围。本发明提供的纳米晶Cu₂O薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：分别按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围为12∶8～12∶36，硫酸铜与抗坏血酸钠的摩尔范围为1∶3～5∶6，将抗坏血酸钠、柠檬酸三钠溶液依次加入硫酸铜溶液中，使充分络合；调节溶液pH值至7.0～10.0；置于50℃～95℃水浴温度中反应1.0h～3.0h；反应结束后经冲洗、烘干后，即得所需产物。该方法采用相对于阳极氧化法、热氧化法、溅射法和化学气相沉积法等方法更加简易的化学浴沉积方法，大大简化了制备工艺，而且所得产物均匀致密。