本发明提供了一种沟槽间形成空气间隔的方法：预先提供一表面自下而上依次包括第一刻蚀终止层和图案化的光阻胶层的半导体衬底，图案化的光阻胶层所显露区域定义沟槽的关键尺寸；在第一刻蚀终止层和图案化的光阻胶层表面沉积超低温氧化层，并对超低温氧化层进行各向异性刻蚀，形成位于图案化光阻胶层两侧的侧壁层；去除图案化光阻胶层；沉积金属铜并进行化学机械研磨或等离子刻蚀方法使铜表面高度与侧壁层的高度齐平，形成侧壁层间隔的金属铜层；在侧壁层间隔的金属铜层表面沉积第二刻蚀终止层，并在第二刻蚀终止层表面其下方初始时具有图案化光阻胶层的位置形成通孔；去除通孔下方的金属铜层，形成沟槽间的空气间隔。从而降低整个IC的RC延迟。