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> 技术详情
一种相变存储器单元高速擦写测试系统
编号:S000021640
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-23
浏览:
2395
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 湖北
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种相变存储器单元高速擦写测试系统,该系统包括皮秒脉冲发生器、半导体特性测试仪、数字实时取样示波器、有源探头和测试电路板;也可以采用射频探针台代替测试电路板。皮秒脉冲发生器可以产生脉冲宽度极窄的电压脉冲,整个系统带宽高,测试程序可以控制皮秒脉冲发生器产生脉冲宽度在0.2ns-10ns间的准连续脉冲序列,因此系统可以通过改变擦写脉冲宽度扫描测量相变存储器单元阵列的高速擦写脉冲宽度范围。总之,本发明测试系统可以对相变存储器单元阵列进行高速擦写测试,它具有带宽高、损耗低的优点。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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