本发明公开了一种基于SOI的后栅型积累模式Si-NWFET制备方法，包括：刻蚀SOI衬底上形成的硅层和硅锗层形成鳍形有源区；鳍形有源区内形成硅纳米线；形成沟道隔离介质层并进行源漏区离子注入；形成栅极并金半合金工艺形成积累型PMOSFET；沉积层间隔离介质层，在所述层间隔离介质层上形成积累型NMOSFET。由于基于SOI衬底，使PMOSFET中栅极与硅衬层之间很好地隔离；上下两层半导体纳米线MOSFET是由层间隔离介质层隔离开，便于层转移工艺的实现，也可以完全独立进行工艺调试，如栅极功函数调节；此外，本发明中PMSOFET与NMOSFET均为积累型，器件具有较高的载流子迁移率。