本发明提供一种监控MOS器件阈值电压漂移的方法，属于半导体器件的测试技术领域。该方法中，在栅介质层制备完成后，在线监测该硅片的Q_tot和/或D_it值，并通过Q_tot和/或D_it值预测该硅片所制备的MOS器件的阈值电压漂移；其中，Q_tot表示所述栅介质层内部的所有电荷，D_it表示所述栅介质层与硅衬底之间的界面态密度。该监控方法时效性好，有利于减少因阈值电压漂移对产品良率产生的影响。