本发明公开了一种具有新型栅结构的栅控半导体器件，属于半导体高频功率器件和高压器件。本发明中栅结构是由沿栅宽方向介质栅和肖特基栅交替连接组成。和常规栅结构相比，本发明主要创新是采用沿栅宽方向肖特基栅和介质栅交替出现的新型栅结构；利用介质栅降低泄露电流，同时利用肖特基栅提高栅控能力，缓解半导体器件击穿电压和频率特性的矛盾关系；同时，与常规介质栅工艺相比，本发明只需改变刻蚀栅介质的光刻版，不增加工艺步骤和成本。