本发明揭露一种具电介质帽盖于接触件上的半导体设备及相关的制造方法，其中提供数种半导体设备结构的制造方法。用于制造半导体设备结构的方法之一包括下列步骤：形成覆于形成于半导体衬底中的掺杂区上的第一层第一电介质材料，在该第一层内形成电气连接至该掺杂区的第一导电接触件，在该第一导电接触件上形成电介质帽盖，形成覆于该电介质帽盖上的第二层第二电介质材料以及覆于该半导体衬底上的栅极结构，以及在该第二层内形成电气连接至该栅极结构的第二导电接触件。