本发明涉及利用侧壁图像转移技术形成SRAM装置的方法，在一示例中，本发明方法包含：在半导体基板上方形成硬掩模层；在该硬掩模层上方形成图案化间隙壁掩模层，其中，该图案化间隙壁掩模层由多个第一间隙壁、第二间隙壁以及第三间隙壁组成；以及通过该图案化间隙壁掩模层在该硬掩模层上执行第一蚀刻工艺，以定义图案化硬掩模层。该方法还包含通过该图案化硬掩模层执行第二蚀刻工艺，以在该基板中定义多个第一鳍片、第二鳍片以及第三鳍片，其中，该第一鳍片的宽度大致对应该第一间隙壁的宽度，该第二鳍片的宽度大致对应该第二间隙壁的宽度，以及该第三鳍片的宽度大致对应该第三间隙壁的宽度。