本发明公开了一种背接触硅太阳能电池片的背面电极结构的制备方法，包括如下步骤：(1)将硅片进行制绒、扩散制结、打孔、刻蚀、镀膜，然后印刷背电场；在印刷背电场时，在背电场内预留孔金属电极开口和背电极开口；(2)在各所述通孔列所在区域的背电场表面印刷长条形的绝缘胶膜层，绝缘胶膜层上相对于各个孔金属电极开口所在的位置预留有绝缘胶开口；(3)在通孔内、孔金属电极开口内、绝缘胶开口内以及绝缘胶开口的上表面印刷导电浆料，形成孔金属电极。本发明的背接触硅太阳能电池片的背面电极结构实现了孔金属电极的焊接区和背电场的面积形状分开控制，从而实现了背电场面积最大化，有利于提升电池效率。