本发明提供了一种硅片的湿法刻蚀方法包括：使用氢氟酸对扩散制结后得到的硅片的各个表面进行润洗；用去离子水对硅片的各个表面进行冲洗；将硅片进行表面干燥；使用氢氟酸、硝酸和硫酸的混合液对硅片的侧面和背面进行刻蚀。本发明还提供了一种太阳能电池的生产方法，依次包括硅片检测，表面制绒处理，扩散制结处理，上述技术方案所述的湿法刻蚀处理，镀减反射膜处理，制作正面电极及背面电极和烧结处理。本发明提供的硅片湿法刻蚀方法减少了对硅片正表面的腐蚀，对正表面起到保护作用，改善了硅片的正表面的外观，并且边缘绝缘较好。采用所述湿法刻蚀方法制备的太阳能电池反向电流不合格的百分比小于0.2％，漏电减少，合格率高。