本发明公开一种混合结构场效应晶体管及其制作方法。该器件利用SiC的承受耐压，利用在SiC外延层上外延生长的异质结构层控制器件开关。本发明避免了传统HFET电流崩塌效应；且该器件能够制作比AlGaN/GaN HFET耐压更高的器件；该器件能够很容易调节阈值电压，实现常关型器件与常关型器件。同时相比SiC MOS沟道，异质结构层界面处二维电子气沟道中，电子迁移率高，沟道电阻小。因此，该器件有效结合了AlGaN/GaN HFET与SiC MOSFET的优点，实现了高性能功率半导体开关器件。