本发明公开了一种半导体发光器件的外延结构，包括电子注入区、空穴注入区、多量子阱有源区、阻挡载流子的势垒层以及一个或多个带边整形层。该带边整形层的掺杂类型和/或掺杂浓度与其相邻层有差异，可通过调整其掺杂类型、掺杂浓度和/或层厚度，利用其形成的局域内建电场修整半导体能带的带边形状，使多量子阱有源区中的载流子分布均匀，总体俄歇复合降低，以及提升阻挡载流子的势垒层的有效势垒高度，减小载流子溢出多量子阱有源区形成的漏电流，从而提高内量子效率。本发明还公开了应用该外延结构的半导体发光器件，同样利用局域内建电场对能带结构带边形状的修整，产生俄歇复合降低和/或漏电流减小的效果，从而提高器件的内量子效率。