本发明公开了一种高导电性能Ag掺杂Cu₂O基p型透明导电薄膜及其制备方法，涉及半导体薄膜技术领域。本发明采用反应磁控溅射的方法，控制反应溅射工艺参数，制备出一系列不同Ag含量掺杂的Cu₂O基p型透明导电薄膜，通过上述制备方法得到的Ag掺杂Cu₂O基p型透明导电薄膜的晶体结构保持反萤石结构，其中Ag与Cu原子比在0～1的范围内可调。掺杂后薄膜的电阻率为0.42～36.2Ω·cm，载流子浓度为1.47×10¹⁹～1.18×10²¹cm^-3，迁移率μ为0.013～0.083cm²/V·s。本发明为了解决现有p型透明导电薄膜室温导电性差，空穴载流子浓度低问题。