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一种高导电性能Ag掺杂Cu2O基p型透明导电薄膜及其制备方法
编号:S000021203 刷新日期: 有效日期至:2020-12-07 浏览:2241 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种高导电性能Ag掺杂Cu2O基p型透明导电薄膜及其制备方法,涉及半导体薄膜技术领域。本发明采用反应磁控溅射的方法,控制反应溅射工艺参数,制备出一系列不同Ag含量掺杂的Cu2O基p型透明导电薄膜,通过上述制备方法得到的Ag掺杂Cu2O基p型透明导电薄膜的晶体结构保持反萤石结构,其中Ag与Cu原子比在0~1的范围内可调。掺杂后薄膜的电阻率为0.42~36.2Ω·cm,载流子浓度为1.47×1019~1.18×1021cm-3,迁移率μ为0.013~0.083cm2/V·s。本发明为了解决现有p型透明导电薄膜室温导电性差,空穴载流子浓度低问题。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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