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实现自对准型双重图形的方法
编号:S000021013 刷新日期: 有效日期至:2020-12-21 浏览:2265 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种实现自对准型双重图形的方法,包括:提供半导体基底;在半导体基底上从下至上依次形成第一介质层、第二介质层、硬掩膜层和具有第一间距的光刻胶线条;利用光刻胶线条作为掩模刻蚀所述硬掩膜层,在硬掩膜层上形成若干硬掩膜层线条;利用硬掩膜层线条作为掩模,周期性交替着对第二介质层进行n次刻蚀和n次沉积,以在第二介质层中形成开口和位于开口两侧的侧墙,侧墙包括n层台阶状排布的子侧墙;去除硬掩膜层线条;利用侧墙作为掩模刻蚀第二介质层,利用第二介质层作为掩模刻蚀第一介质层,在第一介质层中形成具有第二间距的线条。本发明通过周期性交替进行刻蚀和沉积,精确的控制侧墙的宽度,从而能够精确的控制最终形成微小尺寸图形的线宽。
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