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FinFET的适应性鳍设计
编号:S000019850 刷新日期: 有效日期至:2020-12-11 浏览:2463 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种设计标准单元的方法,包括:确定标准单元中的半导体鳍的最小鳍间距,其中,半导体鳍是FinFET的部分;以及确定在标准单元上方的底部金属层中的金属线的最小金属间距,其中,最小金属间距大于最小鳍间距。该标准单元被布置在集成电路中并且实现在半导体晶圆上。本发明还提出了一种FinFET的适应性鳍设计。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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