本发明提供了一种简化存储器中字线介电质膜刻蚀成型工艺的方法。通过使用本发明一种简化存储器中字线介电质膜刻蚀成型工艺的方法，有效地使得每一片晶片生产减少一次光刻胶填充环节和一次干法刻蚀工艺环节，这样可以很好的降低成本，使生产半导体的效率得到很大的改善。