本发明提供一种互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成层间介质层；刻蚀层间介质层，在层间介质层中形成沟槽或通孔；在沟槽或通孔的底部和侧壁依次形成阻挡层和籽晶层；在沟槽或通孔开口处的籽晶层中注入氮气；在沟槽或通孔中填充满铜金属层；进行平坦化处理，形成互连线或金属插塞。本发明在形成籽晶层之后，增加在沟槽或通孔侧壁上部的籽晶层中注入氮气的步骤，注入的氮气与对应位置的籽晶层反应生成氮化铜，包括氮化铜的籽晶层的电阻率大于籽晶层其它位置的电阻率，从而使得铜金属在沟槽底部或通孔底部的沉积速率大于在沟槽顶部或通孔顶部的沉积速率，最终可以避免沟槽或通孔中空洞的形成，提高了半导体器件的性能。