一种鳍部及其形成方法，其中鳍部的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成介质层，所述介质层掺杂有杂质离子，从介质层的表面到底部，所述杂质离子的摩尔浓度逐渐变化；在介质层表面形成掩膜层，掩膜层具有暴露介质层表面的开口；以所述掩膜层为掩膜，采用各向同性的刻蚀工艺沿开口刻蚀所述介质层，形成凹槽，刻蚀过程中，对介质层的刻蚀速率随着介质层中杂质离子的摩尔浓度的增大而减小；在凹槽中填充满外延层，所述外延层作为鳍部。在介质层的沿厚度掺杂不同摩尔浓度的杂质离子，在刻蚀介质层形成凹槽时，使形成凹槽的侧壁非垂直于半导体衬底的表面，提高了凹槽中形成的鳍部的表面积，从而提高通过鳍部的驱动电流。