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> 技术详情
NMOS器件制作方法
编号:S000020919
刷新日期:
有效日期至:
2021-01-07
浏览:
2483
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种NMOS器件制作方法,包括:提供含有NMOS的基底;在所述基底上沉积具有高拉应力的氮化硅层;将沉积前无氮化硅层覆盖的所述NMOS按照NMOS沟道长度的长短次序进行分类,保留上述NMOS中具有最长沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层,远程等离子体刻蚀以去除上述NMOS中其余所对应的氮化硅层,再次沉积氮化硅层;重复执行上述步骤,直至沉积前无氮化硅层覆盖的所述NMOS无法按照NMOS沟道长度的长短次序进行分类,继续后续通用的半导体工艺流程,以形成NMOS晶体管。本发明所提供的NMOS器件制作方法根据NMOS器件沟道长度的长短,通过沉积-远程等离子体刻蚀去除-再次沉积的方法,使得所述氮化硅层的厚度与沟道长度成正比,实现对NMOS器件性能调整的一致性。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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