本发明公开了一种低温制造齐纳二极管工艺，包括以下步骤：在N型重掺杂N+硅晶片的上面生长或沉积一层氧化硅；通过半导体光刻和刻蚀工艺在上述氧化硅上打开缺口,并刻蚀出和N+区的厚度一样的硅槽,清洗该硅槽上的光刻胶；在上述氧化硅层上面镀一层铝薄膜，并在该铝薄膜上生长一层非晶硅薄膜，其中在上述硅槽中形成铝薄膜和非晶硅薄膜的复合层；在低温条件下退火条件下,使上述硅槽中的非晶硅薄膜中的Si原子扩散到上述铝薄膜,在上述硅槽中的硅片表面上形成铝掺杂的P+单晶；清洗去除氧化硅层,残余的铝薄膜和非晶硅膜。通过在低于400℃的低温下完成集成，从而使齐纳二极管的制造工艺更加的灵活。