本发明提出了一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法，增加了紫外线对低介电常数薄膜下半部分处理的效果，使得致孔剂更有效地赶出，使低介电常数薄膜达到理想的介电常数，降低了两层金属之间的互连延时，提高了半导体器件的速度。