确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法，属微电子技术领域，该方法的基本原理是首先使用半导体参数测试仪直接得到GaN异质结场效应晶体管栅极和源极间的电容-电压（C-V）和正向电流-电压（I-V）特性曲线，结合势垒层电容分析得到栅下总的极化电荷密度，然后结合GaN异质结材料的自发极化和压电极化理论，分析得到GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变。本发明与现有测试技术相比较，测试方法更加容易、直接、准确，分辨率也更高，而且解决了现有测试方法无法测试栅下势垒层应变的问题。