用户登录
用户注册
English
技术供应
>技术供应
>技术需求
>协作成员
>专家委员
>新闻资讯
首页
中心简介
新闻资讯
工作动态
行业资讯
特别关注
热点视频
技术供应
技术需求
协作成员
专家智库
专家咨询委员会
数字展会
成功案例
配套服务
下载中心
《中阿科技论坛》
您当前的位置:
首页
>
供应列表
> 技术详情
具有超晶格应激源的FinFET
编号:S000020554
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-03
浏览:
2363
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件。该FinFET器件包括超晶格层和应变层。该超晶格层由衬底支撑。该应变层设置在超晶格层上,并且提供了栅极沟道。栅极沟道由超晶格层产生应力。在实施例中,通过堆叠不同的硅锗合金或者堆叠其他的III-V半导体材料形成该超晶格层。本发明还提供了一种具有超晶格应激源的FinFET。
分享到:
申请对接
收藏此供应
推荐给好友
穿越到手机
联系方式
在线QQ:
机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
查看地图
China-Arab States Technology Transfer Center
认证方式:
相似供应
一种信号采集终端与试验箱数据采集系统
所在区域:中国
转让类型:
科技服务
一种去除退火炉炉辊粘附物的方法
所在区域:中国
转让类型:
技术转让
一种IMS监听的实现方法、系统及装置
所在区域:中国
转让类型:
合作研发
一种多模移动终端的电源管理方法及多模移动终端
所在区域:中国
转让类型:
科技服务