本发明公开了一种形成前金属介电质层的方法，其包括：提供一种具有NMOS和PMOS晶体管的半导体衬底；在半导体衬底上依次沉积一缓冲氧化层、一具有高拉应力的第一蚀刻阻挡层、一具有拉应力的第一前金属介电质层、一硬质掩膜层和一介质抗反射层；在硬质掩膜层上涂覆一层光刻胶，对PMOS区域和NMOS区域进行光刻，在PMOS区域，刻蚀至第一刻蚀阻挡层，暴露所述PMOS区域，在NMOS区域刻蚀至介质抗反射层，刻蚀后保留至NMOS区域表面的硬质掩膜层；在半导体器件表面依次沉积具有高压应力的第二蚀刻阻挡层以及具有压应力的第二前金属介电质层；对第二前金属介电质层进行研磨抛光。本发明从工艺上来说步骤相对简单，能够同时提高NMOS/PMOS的载流子迁移率。