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> 技术详情
一种形成前金属介电质层的方法
编号:S000020393
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-10
浏览:
2372
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种形成前金属介电质层的方法,其包括:提供一种具有NMOS和PMOS晶体管的半导体衬底;在半导体衬底上沉积一缓冲氧化层;在缓冲氧化层上沉积一具有高压应力的第一蚀刻阻挡层;沉积一具有压应力的第一前金属介电质层;沉积一金属硬掩膜层;在所述硬质掩膜层上涂覆一层光刻胶,对PMOS区域和NMOS区域进行光刻,刻蚀至所述第一刻蚀阻挡层,暴露所述NMOS区域,并且保留所述PMOS区域表面的所述第一前金属介电质层;在半导体器件表面沉积具有高拉应力的第二蚀刻阻挡层;在第二蚀刻阻挡层上沉积具有拉应力的第二前金属介电质层;对第二前金属介电质层进行研磨抛光。本发明从工艺上来说步骤相对简单,能够同时提高NMOS/PMOS的载流子迁移率。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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