本发明公开了一种可提高反向击穿电压的斜沟槽肖特基势垒整流器件，包括：半导体基板，半导体基板的上部为第一导电类型漂移区，其表面为第一主面，半导体基板下部为第一导电类型衬底，其表面为第二主面；所述的第一主面上设置有至少一个斜沟槽，斜沟槽延伸进入到第一导电类型漂移区，斜沟槽周围设置有第二导电类型杂质注入区，斜沟槽的表面覆盖有绝缘栅氧化层，斜沟槽内填充有导电多晶硅，第一主面上淀积第一金属层，第二主面上淀积第二金属层。本发明还公开了一种上述肖特基势垒整流器件的制造方法。本发明可以在较小的反偏电压下即可形成耗尽层的夹断，从而大大提高了所述整流器件的反向击穿电压。